GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

   最近一种叫做氮化镓PD快充的充电器引起了追捧，的确，这种氮化镓PD快充充电功率高体积小大大方便了人们的使用。

和苹果61W充电器大小比较，氮化镓PD快充体积连它的一半都不到，体积优势非常明显。大家都知道，单位体积的元器件功率转换是定量的，一般来说功率越大，功率元器件的体积越大。为了攻克这个难题，东莞成希电子有限公司集合公司大量资源开发了小型化、小体积的安规Y1、安规X2电容以符合氮化镓PD快充功率大体积小的要求。

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